CCD芯片量子效率的测量装置及其测量方法

第４２卷增刊ｌ　Ｖｏ１．４２　Ｎｏ．Ｓ１　红外与激光工程　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｎｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　２０１３年６月　Ｊｕｎ．２０１３　ＣＣＤ芯片量子效率的测量装置及其测量方法　邵晓鹏，王杨，高　鹏，许宏涛　（西安电子科技大学，陕西西安７１００７１）　摘　要：ＣＣＤ芯片的量子效率表示在曝光时间内到达像素光敏面的光子转换为电子的百分比．与器件的　几何结构、材料等有关，是评价ＣＣＤ芯片性能的最主要因素之一。通过一定的测量装置及相应的测量方　法对ＣＣＤ芯片的量子效率进行测量，才能对ＣＣＤ芯片的成像性能做出客观评价。因此，根据欧洲机器视　觉协会制定的ＥＭＶＡ１２８８标准设计了一套ＣＣＤ芯片量子效率的测量装置，并且阐述了基于量子效率的测　量方法，解决了单色光生成以及对于不同ＣＣＤ测量时的兼容性问题。经过反复论证，该测量装置和方法　具有通用性强、高精度和高稳定度等优点。　关键词：量子效率；ＣＣＤ芯片；量子效率；测量装置；测量方法　中图分类号：ＴＮ３８６．５　文献标志码：Ａ　文章编号：１００７—２２７６（２０１３）Ｓ１—０１０３—０４　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｍｅｔｈｏｄ　ａｎｄ　ｓｅｔｕｐ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｉｃｉｆｅｎｃｙ　ｆｏｒ　ｃｈａｒｇｅ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｓｈａｏ　Ｘｉａｏｐｅｎｇ，Ｗａｎｇ　Ｙａｎｇ，Ｇａｏ　Ｐｅｎｇ，Ｘｕ　Ｈｏｎｇｔａｏ　（Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ＸｉＤｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ’ａｎ　７１００７１，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｏｆ　ｃｈａｒｇｅ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｒｅｆ　ｅｒｓ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐｅｒｃｅｎｔａｇｅ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｐｈｏｔｏｎｓ　ｒｅａｃｈｉｎｇ　ｔｈｅ　ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ　ａｒｅａ　ｃｏｎｖｅａｓ　ｔＯ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ　ｄｕｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｔｉｍｅ，ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｇｅｏｍｅｔｒｙ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｄｅｖｉｃｅ，　ｍａｔｅｒｉａｌ　ａｎｄ　ＳＯ　ｏｎ，ｗｈｉｃｈ　ｉｓ　ｏｎｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｍｏｓｔ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆａｃｔｏｒｓ　ｔｏ　ｅｖａｌｕａｔｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈａｒｇｅ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅ—　ｖｉｃｅｓ．Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｉｃｉｆｅｎｃｙ　ｏｆ　ＣＣＤ　ｗｉｔｈ　ａ　ｃｅｒｔａｉｎ　ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｏｄ，ｔｈｅ　ｏｂｊｅｃｔｉｖｅ　ｅｓ－　ｔｉｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｃａｎ　ｂｅ　ｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ａ　ｓｅｔｕｐ　ｏｆ　ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｏｆ　ｃｈａｒｇｅ　ｆｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｗａｓ　ｄｅｓｉｇｎｅｄ　ａｃｃｏｒｄｉｎｇ　ｔｏ　ｔｈｅ　ＥＭＶＡ　１　２８８　ｓｔａｎｄａｒｄ　ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｍａｃｈｉｎｅ　Ｖｉｓｉｏｎ　Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｅｌａｂｏｒａｔｅｄ　ａ　ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｍｅｔｈｏｄ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｗａｓ　ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｔｈｅ　ｍｅｔｈｏｄ　ｓｏｌｖｅｄ　ｆｐｒｏｂｌｅｍｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｙｓｔｅｍ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ＣＣＤ，ａｓ　ｗｅｌｌ　ａｓ　ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｇｅｎｅｒａ—　ｔｉｏｎ．Ｂｙ　ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ　ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ，ｔｈｅ　ｓｅｔｕｐ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｏｄ　ｈａｖｅ　ｔｈｅ　ａｄｖａｎｔａｇｅｓ　ｏｆ　ｇｏｏｄ　ｃｏｍｍｏｎａｌｉｔｙ，ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ　ａｎｄ　ｓｔａｂｉｌｉｔｙ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｉｃｉｅｎｃｙ；ｆ　ｃｈａｒｇｅ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅｓ；　ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｅｔｕｐ；　ｍｅａｓ—　Ｕｌｒｅｍｅｎｔ　ｍｅｔｈ０ｄ　收稿日期：２０１３一Ｏ１—２６；　修订日期：２０１３—０２—１０　作者简介：邵晓鹏（１９７３一），男，主要从事光电图像处理与模式识别方面的研究。Ｅｍａｉｌ：ｘｐｓｈａｏ＠ｘｉｄｉａｎ．ｅｄｕ．ｃｎ　ｌ０４　红外与激光工程　第４２卷　的图像传感器、相机进行性能参数标定。　０引言　ＣＣＤ芯片的量子效率定义为在某一特定波长的光　国外一些天文台对ＣＣＤ芯片性能参数测量系统研　究较多。亚利桑那大学的斯图尔德天文台（Ｓｔｅｗａｒｄ　Ｏｂ—　ｓｅｒｖａｔｏｒｙ）于１９９６年开发了一种ＣＣＤ性能参数测量装　置。１９９８年，欧洲南方天文台开发了一套ＥＳＯ　ＣＣＤ　Ｔｅｓｔ　照下，在一定曝光时间内，单个像素光敏面的吸收与累　积的平均电荷数与辐射的平均光子数的比值…。它表　示ＣＣＤ芯片在曝光时间内将到达像素光敏面的光子转　换为电子的百分比，在微观上描述了ＣＣＤ芯片的光谱特　ｂｅｎｃｈ摄像机测试系统。２００４至２００５年期间，劳伦斯伯　克利国家实验室设计研制了一套设备用来测量航天用　ＣＣＤ的量子效率。２００９年，美国斯坦福国际研究中心的　一性　Ｊ，与器件的几何结构、材料等有关，是衡量ＣＣＤ芯片　性能的最主要因素之一。但是在ＣＣＤ芯片的研制和应　用当中，由于加工和测量技术的限制，以及ＣＣＤ芯片应　个附属机构——萨诺夫公司开发了一套相机测试系　统（Ｓａｍｏｆｆ’Ｓ　Ｃａｍｅｒａ　ＣｏｍｍａｎｄｅｒＴＭ　Ｔｅｓｔ　Ｓｙｓｔｅｍ），该套系　统已可以完全满足ＥＭＶＡ１２８８标准的测量要求。　在国内，中国科学院长春精密仪器研究所于１９９４　年建立了国内第一套ＣＣＤ光电参量测试系统，后逐步对　用环境的不同，导致ＣＣＤ芯片的实际量子效率与厂商给　出的测量值具有一定的差异，而在一些关键应用领域，　需要定量了解ＣＣＤ芯片的实际量子效率，从而对采集到　的数据进行合理的校正，得到更好更准确的结果。例　如，在ＣＣＤ应用系统的设计当中，一个极其关键的环节　就是对ＣＣＤ芯片进行选型，并对它的性能参数进行测　其进行改进，并于２００１年设计了一种新型光路可伸缩的　ＣＣＤ器件光电参数测试装置。２００６年，天津大学与华中　科技大学参考Ｃｏｒｏｔ　ＣＣＤ　Ｔｅｓｔｂｅｎｃｈ测试系统和ＥＳＯ　ＣＣＤ　Ｔｅｓｔｂｅｎｃｈ测试系统，设计了基于积分球光源和视　量，量子效率就是其中最重要的参数之一，在很大程度　上决定了探测系统的性能　。因此，有必要提出一种　频信号处理的ＣＣＤ摄像机感光参数测试系统，但没有实　现对ＣＣＤ芯片本身的量子效率及其它各项参数的测量。　针对以上存在的问题，拟按照ＥＭＶＡ１２８８标准规　方法来有效的测量ＣＣＤ芯片的量子效率，从而对其输出　数据进行处理后，得到更切合实际的结果　。　。同时，该　方法也适用于ＣＣＤ芯片的研制、筛选和评估。　关于ＣＣＤ芯片性能参数的测量，国外目前有两个　标准：（１）ＥＳＡ／ＳＣＣ　Ｂａｓｉｃ　Ｓｐｅｃｉｉｆｃａｔｉｏｎ　Ｎｏ．２５０００标准。　该标准由欧空局（Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｓｐａｃｅ　Ａｇｅｎｃｙ，ＥＳＡ）于１９９３　定的方法，研制一套通用性强、高精度和高稳定度的　ＣＣＤ芯片量子效率测量装置。该装置可测量较宽的光　谱范围（３００～１５００ｎｍ），能够灵活设置ＣＣＤ测量环境　温度（１００～２９８Ｋ）。　年提出。主要包括各参量的定义、测试设备、电气一光　电测试原理、方法和条件。（２）ＥＭＶＡＩ２８８标准。该标　１测量装置及方法　系统根据ＥＭＶＡ１２８８标准设计的结构框图如图１　所示。　准由欧洲视觉协会（Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｍａｃｈｉｎｅ　Ｖｉｓｉｏｎ　Ａｓｓｏｃｉａ—　ｔｉｏｎ，ＥＭＶＡ）制定和完善，主要针对机器视觉应用领域　兽；　ｉ　辞　｝　Ｍｏｍａｎｔｉｏｃｃ　ｌｈｉｇｒｏｈｔ．　呈　Ｈ　。　。　ｓ　“ｄａｒｄ　ｄ　Ｉ　ＰＩＤ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｔｅｓｔｉｍ　；ｃｃ。　ｌ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ　　ＬＬ　Ｕｎｉｆｏｒｍ　ｌｉｇｈｔ　＼　；　１　Ｈｏｓｔ　ｃｏｍｐｕｔｅｒ　ＵＳＢ　　。。　“　。”　“１　：　，　ｒ　詈　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ　ｏｎ　ｃｉｒｃｕｉｔｆ．　ｌ　ｃｏ～ｅｔｅｒ　Ｉ　图１测量系统框图　Ｆｉｇ．１　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｄｉａｇｒａｍ　增刊１　邵晓鹏等：ＣＣＤ芯片量子效率的测量装置及其测量方法　１　Ｏ　０　Ｏ　Ｏ　Ｏ　Ｏ　Ｏ　０　０　１Ｏ５　由图１可知，该系统主要包括如下几个部分：可调　单色光源、积分球一暗室、杜瓦瓶温控室、主控电路系　令和参数，接收并计算待测ＣＣＤ芯片的量子效率。　∞　舳＂　∞　测量时，确定连接各处的密封性后，首先将待测　ＣＣＤ芯片和标准探测器置于杜瓦瓶温控室中，设置好　系统的工作温度后，主控计算机通过串口驱动调节可　统和计算机　。其中：可调单色光源系统采用光谱范　围为２００～２５００ｎｍ、功率为５００瓦的氙灯光源和单色　仪组成，输出光谱分辨率为１０ｎｍ并且连续可调的单色　光。单色仪采用双光栅，在３００～１５００ｎｍ内的光栅效　调单色光源，输出带宽为１０ｎｍ的单色光，经过积分球　和暗室变为均匀光后，同时照射在待测ＣＣＤ和标准探　率高于５０％。　积分球采用直径为２０英寸的漫反射球体，其入口　直径为２英寸，出口直径为４英寸，内表面涂层为　Ｓｐｅｃｔｒａｌｏｎ，保证输出辐射均匀度＞９８％的均匀光。由　辐射理论可知，积分球输出的面阵光距端口越远，均匀　度越好，但辐照度也越小，如图２所示。经综合考虑，　将待测ＣＣＤ放置在距离积分球输出端口约８０ｃｍ处，　这样同时满足的光的均匀性和辐射度的要求。为了防　止在这段光路上周围杂散光的干扰，设计暗室采用长　度为８０ｃｍ的长方体黑箱结构，材料为木质，该黑箱内　部涂有黑色涂层，使其具有良好的不透光性，黑箱的顶　端设有能够活动的盒盖，两端各有一个开孔，分别用于　密闭连接积分球的出口和杜瓦瓶温控室　。　誊　重．　量　墨　童　蛋　Ｄｌｓｔａｎｃｅｆｆｏｍ　ｔｈｅ　ｏｕｔｐｕｔ　ｐｏｒｔ／ｃｍ　图２辐射均匀度与距输出端口距离关系　Ｆｉｇ．２　Ｔｈｅ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ　ａｎｄ　ｄｉｓｔａｎｃｅ　ｆｒｏｍ　ｓｏｕｒｃｅ　杜瓦瓶温控室中放置有待测ＣＣＤ芯片、标准探测　器和ＰＩＤ温控仪。这样放置同时接受均匀光的照射，　通过皮安表对标准探测器输出电流的监测，能够保证　在整个过程中测量条件相同和稳定；　主控电路系统包括ＣＣＤ通用驱动电路和ＵＳＢ通　信电路，ＣＣＤ通用驱动电路由时序模块、电压模块和接　口模块构成。该电路通过硬件设计和软件代码的编　写，实现了对不同厂家ＣＣＤ芯片的驱动，解决了该装　置测量的兼容性问题；主控计算机内部设有控制模块　和图像处理模块，其控制模块包括串口驱动子模块和　ＵＳＢ驱动子模块两部分，串口驱动子模块用于控制调　节单色仪和皮安表，同时，ＵＳＢ驱动子模块下发测量命　测器上，主控电路驱动ＣＣＤ芯片工作并将采集到的图　像信息通过ＵＳＢ接口上传给主控计算机，主控计算机　根据获取的图像信息计算出图像的平均灰度值和灰度　值的方差；同理，在黑暗条件，即无光照射的条件下，主　控计算机再次获取图像信息。最后主控计算机由两组　图像信息经过数学运算处理，计算得到待测ＣＣＤ芯片　的量子效率。其具体的测量流程如下：　（Ｉ）将待测ＣＣＤ芯片放置在测量系统的杜瓦瓶温　控室中，该杜瓦瓶温控室开有入射窗，入射窗的透过率　要求对入射光的透过率达到９８％以上，将ＣＣＤ芯片与　控制电路对应接口相连，该控制电路用于控制ＣＣＤ芯　片成像和调节杜瓦瓶温控室的温度，杜瓦瓶温控室的　温度即为ＣＣＤ芯片的工作温度；　（２）在ＣＣＤ芯片附近放置标准探测器，该探测器已　经标定好，用于测量光源功率，为其后的计算提供光功率　参考值。并且在测量过程中，通过对标准探测器的输出电　流实时监测，保证整个过程中的测量条件一致和稳定；　（３）通过ＣＣＤ芯片自带的电子快门调整ＣＣＤ芯片　的积分时间，控制ＣＣＤ芯片的曝光量，如果ＣＣＤ芯片的　电子快门不满足应用需求，则需要在入射光路中间添加　快门装置，一般添加在入射窗前或波长可调单色均匀光　源系统之前，使用该快门装置调节ＣＣＤ芯片的曝光量；　（４）按照应用需求和ＣＣＤ芯片的响应波长范围选　取波长宽度△Ａ、扫描波长范围［Ａ　、Ａ　］、扫描波长间隔　Ａ　其中波长宽度△Ａ需要小于５０ｎｍ，扫描波长范围要　将ＣＣＤ芯片的波长响应范围包含在内，扫描波长间隔　／￣ｉｎｔ要小于两倍的波长宽度，设置起始波长为Ａ　，截止波　长为Ａ　，从起始波长开始，依次叠加扫描波长间隔Ａ　，　直到波长达到Ａ　为止，得到一系列波长值，以这些波长　值作为参数，控制光源系统产生相应波长的单色光；　（５）每设置一次单色光波长，用ＣＣＤ芯片拍摄两　组图像，每组拍摄的图像张数大于５，其中拍摄第一组　图像时选取的积分时间需要使ＣＣＤ芯片达到５０％曝　光量或以上，所得图像称为亮图像，拍摄第二组图像　时，使用与拍摄第一组图像相同的积分时间，但此时需　１０６　红外与激光工程　第４２卷　要关闭快门，所得图像称为暗图像，所有拍摄的图像均　通过控制电路上传到计算机当中，接下来使用配套的　计算机软件对这些数据进行处理得到测量参数；　（６）从第一组图像和第二组图像中各抽取中间的　两张亮图像和两张暗图像；　（７）利用抽取的图像计算ＣＣＤ芯片及其控制电路　的总的增益　，称为系统增益：　１）从两张亮图像和两张暗图像中各选取一张，分　别计算选取的亮图像和暗图像的平均灰度值　和　：　．／ｘ　。　ｙ　［ｍ］［ｎ］　（１）　。　），ｚ［ｍ］［ｎ］　（２）　其中，Ｙ。、Ｙ　分别代表选取的亮图像和暗图像，　、　Ⅳ分别为拍摄图像的行像素数和列像素数，这两个尺　寸可以从ＣＣＤ芯片的产品手册中得到或者从图像信　息中统计出来；　２）使用抽取的两张亮图像计算亮图像方差　：：　２Ｍ＝ＩＮ－Ｉ：　［ｍ－１１￣－１　（ｙＡ［ｍ］［，．　．［ｍ］　　］＿ｙ　Ｅｍ一ｙ　］［］　　］）ｚ）（３）…　　（３）　　其中，Ｙ　、Ｙ　分别代表亮图像中的第一张和第二　张；　３）使用抽取的两张暗图像计算暗图像方差　：，：　‘　２　：　Ｉ．￣Ｉ－　（），　。（），，ｃ［ｍ］［。［ｍ］　　］一ｙ。Ｅｍ一ｙ。］［］㈨　］）ｚ）　（４）（４）　。　　其中，Ｙ　、Ｙ。分别代表暗图像中的第一张和第二　张；　４）根据以上得到的参数计算系统增益Ｋ：　Ｋ：　（５）　ｙ　一　ｙ　（８）利用步骤６中抽取的四张图像计算ＣＣＤ芯片　的响应度尺：　Ｒ：　（６）　其中为ＣＣＤ芯片单个像素点的平均光子数，Ａ为　ＣＣＤ芯片单个像素点的面积，Ｅ为照射到ＣＣＤ芯片上　的单色光功率，ｔｅｘｐ为拍摄抽取亮图像时所用的积分时　间，为拍摄抽取亮图像时照射到ＣＣＤ芯片上的单色光　波长，ｈ为普朗克常数，Ｃ为光速；　（９）由系统增益Ｋ和响应度Ｒ最终求得ＣＣＤ芯片　的量子效率：　（Ａ）＝　Ｒ　（７）　２结束语　笔者根据ＥＭＶＡ１２８８标准，设计了一套测量ＣＣＤ　芯片量子效率的装置，并阐述了其测量方法，该方法选　取的数据采用拍摄多张，选取中间部分图像，很好的排　除了成像系统的误差，提高了测量参数的精度。对于　空间方差的计算采用取多张图像求平均的方式，基本排　除了时域方差的影响，使测量的空间非均匀性更准确。　另外，由于使用标定过的探测器对入射单色光光强进行　标定，能够计算出量子效率和响应度的绝对值，相对于　相对量子效率和相对响应度，对用户更有参考价值。　在接下来的工作中，我们将对更多不同厂家的　ＣＣＤ芯片进行测试，进一步验证装置的通用性和兼容　性。在此基础上，开发出一套全自动的测量软件，实现　整个过程的全自动化测量。　参考文献：　［１］　ＥＭＶＡ　Ｓｔａｎｄａｒｄ　１２８８：Ｓｔａｎｄａｒｄ　ｆｏｒ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｉｍａｇｅ　ｓｅｎ—　ＳＯｔＳ　ａｎｄ　ｃａｍｅｒａｓ．Ｒｅｌｅａｓｅ　３．０，２０１０，１１：５—６．　［２］　Ａｎ　Ｙｕｙｉｎｇ，Ｌｉｕ　Ｊｉｆａｎｇ，Ｌｉ　Ｑｉｎｇｈｕｉ．Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　［Ｍ］．Ｂｅｉ　Ｊｉｎｇ：Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ　ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＩｎｄｕｓｔｒｙ，２００７，１２：１６２　１６４．（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）　［３］　Ｙａｎｇ　Ｃｈｕｎｈｕ，Ｓｕｎ　Ｄｏｎｇｓｏｎｇ，Ｌｉ　Ｈｏｎｇｍｉｎｇ．Ｐｈｏｔｏｎ　ｃｏｕｎｔｉｎｇ　ａｐ—　ｐｌｉｅｄ　ｔｏ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｌｉｄａｒ［Ｊ］．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｎｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　２００５，３４（５）：５１７—５２０．（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）　［４］　Ｚｈａｎｇ　Ｘｉａｏｈｕｉ，Ｐａｎ　Ｙｕｌｏｎｇ．Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇｅｎｅｒａｌ　ｉｍａｇｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｒｅｍｏｔｅ　ｓｅｎｓｉｎｇ　ＣＣＤ　ｃａｍｅｒａ［Ｊ］．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｎｄ　ａＬｓｅｒ　Ｅｅｎｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８，３７（４）：６９７—７０１．（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）　［５］　Ｚｈａｏ　Ｙｕｌｉａｎｇ，Ｘｕ　Ｚｈａｏｌｉｎ．Ａｒ￣ｌｉｏｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ　ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ　ｏｆ　ｓｌｉｔ　ｗｉｄｔｈ￣ｔｔｒｅｍｅｎｔ　ｓｙｓｔｅｍ　ｂａｓｅｄ　ｏｎｔｈｅ　ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌｌｉｎｅａｒ　ＣＣＤ［Ｊ］．Ｉｎ－　ｙｒａｒｅａａｎｄＬａｓｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００６，３５（１）：７５—７７．（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）　［６］　Ｓｈａｏ　Ｘｉａｏｐｅｎｇ．Ｔｈｅ　ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ＣＣＤ’ｓ　Ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｆｉ—　ｃｉｅｎｃｙ　ｎａｄ　ｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙ，Ｃｈｉｎａ：２０１１１０３２９１３３．ｘ［ＰＩ．２０１１—１Ｏ．　［７］ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｍｖａ．ｏｒｇ．　［８］Ｘｕ　Ｈｏｎｇｔａｏ，Ｓｈａｏ　Ｘｉａｏｐｅｎｇ，Ｗａｎｇ　Ｙａｎｇ．Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｐａｒａｍｅｔｅｒ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｙｓｔｅｍ　ｏｆｒ　ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ｃｈｉ－　ｎｅｓｅ　ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｃｉｅｎｔｉｉｆｃＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔ，２０１１，３：１—２．（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）　［９］Ｓｈａｏ　Ｘｉａｏｐｅｎｇ．Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｐａｒａｍｅｔｅｒ　ｍｅ￣ａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　ｃｈａｒｇｅ—ｃｏｕｐｌｄｅ　ｄｅｖｉｃｅｓ．Ｃｈｉｎａ：２０１１１０３２９（Ｙｏ６．１［Ｐ］．２０１１—１０．　［１Ｏ］Ｄｏｎａｌｄ　Ｅ　Ｇｒｏｏｍ，Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈｅｒ　Ｊ　Ｂｅｂｅｋ，Ｍａｘｉｍｉｌｉａｎ　Ｆａｂｒｉｃｉｕｓ，ｅｔ　ａ１．Ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＬＢＮＬ　ＣＣＤ＇ｓ［Ｃ］／／　ＳＰＩＥ，２００６，２：３０—３３．