专利名称：锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管及制造方
法
专利类型：发明专利
发明人：刘冬华,钱文生,石晶,段文婷,胡君申请号：CN201210521204.0申请日：20121206公开号：CN103050522A公开日：20130417
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，有源区在横向方向上分成两部分，在第一部分中形成有P型离子注入区组成的集电区、在第二部分中形成有N型离子注入区组成基区，集电区和基区在横向上形成接触；发射区由形成于基区表面部分区域中的P型离子注入区组成，发射区和集电区之间相隔有一横向距离，通过调节该横向距离调节基区的宽度，通过掺杂多晶硅引出集电极、发射极和基极。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、提高器件的性能，本发明无须额外的工艺条件，能够降低成本。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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